技術(shù)文章
Technical articles熱電偶元件是在工業(yè)、科研中廣泛使用的一種溫度傳感器,具有測溫范圍廣,堅固耐用,無自發(fā)熱現(xiàn)象,使用方便等優(yōu)點。薄膜熱電偶除了繼承上述普通熱電偶的優(yōu)點外,還具有熱容小,響應(yīng)速度快,幾乎不占用空間,對被測物體影響小的優(yōu)點。本研究為制備K型薄膜熱電偶選擇了電子束蒸發(fā)鍍,磁控濺射,多弧離子鍍?nèi)NPVD方法。其中一部分樣片的NiCr/NiSi薄膜均由磁控濺射均由磁控濺射沉積,另一部分樣片的NiCr薄膜由磁控濺射沉積,而NiSi薄膜由電子束蒸發(fā)沉積。所制備得到的薄膜熱電偶樣片使用SEM(E...
掃描探針顯微鏡是目前一種用途廣泛的表面分析儀器,它不僅廣泛應(yīng)用于物理、化學(xué)、生物、醫(yī)學(xué)等基礎(chǔ)研究領(lǐng)域,還在微納制造和微電子等的應(yīng)用研究領(lǐng)域中發(fā)揮著越來越重要的作用。然而,目前商業(yè)化的掃描探針顯微鏡主要為單一探針的工作模式,其功能相對單一,難以實現(xiàn)一些較為復(fù)雜的實驗及檢測功能。例如,在特殊環(huán)境下(如真空或輻射環(huán)境)的微觀磨損實驗中,若采用單一探針模式,在完成磨損實驗后,需要更換曲率半徑更小的針尖才能對表面磨損區(qū)域進行原位的高分辨形貌掃描與觀測。然而,在更換針尖的過程中,微觀磨損...
針對光學(xué)和介電功能薄膜制備中的離化率低和靶面污染問題,設(shè)計了一種磁控濺射沉積系統(tǒng),系統(tǒng)包括磁控濺射靶裝置、等離子體源和陽極清洗裝置。主要結(jié)論有:(1)在磁控濺射靶裝置設(shè)計中,采用磁流體密封替代橡膠軸承密封,提高了靶裝置的密封性,極限真空度可達10-6Pa;采用旋轉(zhuǎn)磁鋼代替固定磁鋼,使靶材的利用率從30%提高到60%,同時避免了靶裝置在預(yù)先清洗時的污染;設(shè)計了靶裝置的驅(qū)動端,完成了電機、傳動裝置和軸承的選型。(2)設(shè)計等離子體源來改善沉積系統(tǒng)離化率不足的問題。選擇0.2mm鎢絲...
集成電路自動化裝備-探針臺是晶圓測試領(lǐng)域研究的熱點。由于晶圓片上晶粒很小,達到微米級,所以要求探針臺要保持很高的定位精度和運動精度才能保證探針與晶粒的準(zhǔn)確對針和測試。因此,本文主要研究的問題是如何保證探針臺高精密控制,從而達到微米級定位要求。本文來自于國家02專項-面向12”晶圓片的全自動探針臺關(guān)鍵技術(shù)研究。首先,本文介紹了探針臺兩大部分-LOADER和PROBER的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)和運動流程；其次,本文重點對預(yù)對位、Z軸升降、XY平臺三個關(guān)鍵部件的精準(zhǔn)控制進行研究,分析影響控制精度...
紅外熱成像技術(shù)由于自身各種優(yōu)勢在軍事領(lǐng)域和民用領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景,因此備受各國重視,競相發(fā)展相關(guān)技術(shù)。由于國外對紅外熱成像技術(shù)的研究比較早,而我國在紅外熱成像技術(shù)領(lǐng)域起步較晚,所以差距很大。近年來我國在紅外熱成像技術(shù)的相關(guān)領(lǐng)域取得了一些進展,但很多方面還是遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于世界水平。因此,還需要加快紅外熱成像技術(shù)的研究。本課題以加快紅外熱成像技術(shù)的研究進度、減小研究周期、提升研究效率,降低研究及生產(chǎn)成本為目標(biāo),以紅外熱成像系統(tǒng)的核心部分非制冷紅外焦平面為基礎(chǔ),研究紅外焦平面封裝前...
Q1:什么是PVD?真空電鍍加工真空鍍膜技術(shù)A1:PVD是英文PhysicalVaporDeposition的縮寫，中文意思是“物理氣相沉積”，是指在真空條件下，用物理的方法使材料沉積在被鍍工件上的薄膜制備技術(shù)。鄭州科探儀器設(shè)備有限公司新研發(fā)一款小型蒸鍍儀KT-Z1650DM是一款小型臺式加熱功率可控蒸發(fā)鍍膜儀，儀器雖小功能齊全，配備有電壓電流反饋,樣品臺旋轉(zhuǎn)，樣品高度調(diào)節(jié)，及電動擋板功能。通過定時調(diào)節(jié)預(yù)熱功率及蒸發(fā)功率，可對大部分金屬進行均勻蒸發(fā)沉積，真空腔室為透明石英玻璃...
當(dāng)前位置：
